半導體製造商ROHM針對企業級高性能伺服器和AI伺服器電源，推出實現頂級導通電阻和超寬SOA範圍的Nch功率MOSFET。新產品共計3款機型，包括適用於企業級高性能伺服器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器電路的「RS7E200BG(30V)」，以及適用於AI伺服器48V系統電源的「RS7N200BH(80V)」和「RS7N160BH(80V)」。
隨著高階資料處理技術的進步和數位化轉型的加速，對資料中心伺服器的需求不斷增加，特別是對具有高階計算能力的AI處理伺服器需求亦呈現成長趨勢。由於伺服器需要24小時不間斷運轉，因此電源單元中使用的多個MOSFET的導通電阻所造成的導通損耗，會對系統整體性能和能效產生影響。特別是在AC-DC轉換電路中，其導通損耗占比較高，因此需要使用導通電阻低的MOSFET。
新產品採用了新開發的DFN5060-8S封裝，與傳統封裝相比，封裝內部晶片的可用面積增加約65%。因此新產品能夠以5.0mm×6.0mm的封裝尺寸實現頂級導通電阻，30V產品「RS7E200BG」的導通電阻僅為0.53mΩ(Typ.)，80V產品「RS7N200BH」僅為1.7mΩ(Typ.)，有助提高伺服器電源電路的效率。
此外，透過最佳化封裝內部的夾片形狀設計，提高了散熱性能，同時亦提高了SOA範圍。尤其是30V產品「RS7E200BG」，其SOA範圍達70A以上，與傳統封裝產品相比，在相同條件下SOA範圍提高了一倍。
新產品已經暫以每月100萬個的規模投入量產，並已開始透過電商平台銷售。ROHM計畫在2025年內逐步實現量產可支援AI伺服器熱插拔控制器電路應用的功率MOSFET，並將繼續擴大產品陣容，為應用的高效運行和高可靠性貢獻力量。
